Задание № 7. Положение уровня Ферми для Mg (магния) при Т= 0К соответствует энергии 7,13эВ. Рассчитать число свободных электронов, приходящихся на один атом. Эффективную массу электронов проводимости принять равной массе свободного электрона.

Задание № 17. Найти положение уровня Ферми и собственную концентрацию носителей заряда в фосфиде индия при 300 К, если ширина его запрещённой зоны 1,34 эВ, а эффективные массы плотности состояний m_v=0,6m_o, m_c=0,073m_o. На сколько надо повысить температуру, чтобы число электронов в зоне проводимости увеличилось в два раза.

Задание № 27. Обратный ток насыщения контакта металл-полупроводник с барьером Шотки равен 2 мкА. Контакт соединён последовательно с резистором и источником постоянного  напряжения 0,2 В. Определить сопротивление резистора, если падение напряжения на нем 0,1 В. Контакт находится при температуре 300 К.

Задание № 37. Вычислить, при каком соотношении концентрации электронов и дырок в кремнии ЭДС Холла обращается в нуль, если их подвижности равны соответственно 0,14 и 0,05 м² (В*с).

Задание № 47. Изобразите пространственное распределение зарядов и энергетические диаграммы несимметричного резкого p-n- перехода (Na>Nд, где Na – концентрация акцепторных примесей в p-области; Nд- концентрация донорных примесей в n-области ) для следующих случаев : а) внешнее напряжение отсутствует ; б) прямое смещение перехода; в) обратное смещение перехода. При построениях на горизонтальной оси откладывать расстояние x. Укажите направление диффузионного электрического поля и высоту потенциального барьера p-n- перехода.

Задание № 57. Как скажется на значении обратного тока насыщения p-n- перехода пропорциональное увеличение концентрации примесей в обеих его областях? Как изменится обратный ток насыщения, если концентрация примесей увеличатся только в одной области, а в другой останется неизменной.

7 стр.