Описание
Вариант №7
Задача №7
Положение уровня Ферми для Mg (магния) при Т = 0 К соответствует энергии 7,13 эВ. Рассчитать число свободных электронов, приходящихся на один атом. Эффективную массу электронов проводимости принять равной массе свободного электрона.
Задача 17
Найти положение уровня Ферми и собственную концентрацию носителей заряда в фосфиде индия при 300 К, если ширина его запрещенной зоны 1,34 эВ, а эффективные массы плотности состояний mv = 0,6m0, mc = 0,073m0. На сколько надо повысить температуру, чтобы число электронов в зоне проводимости увеличилось в два раза?
Задача 27
Обратный ток насыщения контакта металл-полупроводник с барьером Шотки равен 2 мкА. Контакт соединен последовательно с резистором и источником постоянного напряжения 0,2 В. Определить сопротивление резистора, если падение напряжения на нем 0,1 В. Контакт находится при температуре 300 К.
Задача 37
Вычислить, при каком соотношении концентраций электронов и дырок в кремнии ЭДС Холла обращается в нуль, если их подвижности равны соответственно 0,14 и 0,05 м2/(В·с).
Задача 47
Изобразите пространственное распределение зарядов и энергетические диаграммы несимметричного резкого p-n-перехода (Na > Nд, где Na- концентрация акцепторных примесей в р-области; Nд – концентрация донорных примесей в n-области) для следующих случаев: а) внешнее напряжение отсутствует; б) прямое смещение перехода; в) обратное смещение перехода. При построениях на горизонтальной оси откладывать расстояние х. Укажите направление диффузионного электрического поля и высоту потенциального барьера p-n-перехода
Задача 57
Как скажется на значении обратного тока насыщения p- n-перехода пропорциональное увеличение концентрации примесей в обеих его областях? Как изменится обратный ток насыщения, если концентрация примесей увеличится только в одной области, а в другой останется неизменной.
7 стр.