Решение задач по Физическим основам электроники 2323

Описание

Вариант №7

Задача №7

Положение уровня Ферми для Mg (магния) при Т = 0 К соответствует энергии 7,13 эВ. Рассчитать число свободных электронов, приходящихся на один атом. Эффективную массу электронов проводимости принять равной массе свободного электрона.

Задача 17

Найти положение уровня Ферми и собственную концентрацию носителей заряда в фосфиде индия при 300 К, если ширина его запрещенной зоны 1,34 эВ, а эффективные массы плотности состояний mv = 0,6m0, mc = 0,073m0. На сколько надо повысить температуру, чтобы число электронов в зоне проводимости увеличилось в два раза?

Задача 27

Обратный ток насыщения контакта металл-полупроводник с барьером Шотки равен 2 мкА. Контакт соединен последовательно с резистором и  источником постоянного напряжения 0,2 В. Определить сопротивление резистора, если падение напряжения на нем 0,1 В.  Контакт находится при температуре 300 К.

Задача 37

Вычислить, при каком соотношении концентраций электронов и дырок в кремнии ЭДС Холла обращается в нуль, если их подвижности равны соответственно 0,14 и 0,05 м2/(В·с).

Задача 47

Изобразите  пространственное  распределение  зарядов  и энергетические диаграммы  несимметричного  резкого p-n-перехода (Na > Nд, где Na- концентрация акцепторных примесей в р-области; Nд – концентрация донорных  примесей  в n-области)  для  следующих  случаев:  а)  внешнее напряжение  отсутствует;  б)  прямое  смещение  перехода;  в)  обратное смещение  перехода.  При  построениях  на  горизонтальной  оси  откладывать расстояние  х.  Укажите  направление  диффузионного  электрического  поля  и высоту потенциального барьера p-n-перехода

Задача 57

Как  скажется  на  значении  обратного  тока  насыщения p- n-перехода пропорциональное увеличение концентрации примесей в обеих его областях? Как  изменится  обратный  ток  насыщения,  если  концентрация  примесей увеличится только в одной области, а в другой останется неизменной.

7 стр.

Фрагмент

В данной работе имеются формулы, но в демоверсии не отображаются.

Литература

  1. Г.И. Епифанов,  Ю.А.  Мома.  Твердотельная  электроника.  –  М.: Высш. шк., 1986. – 304 с.
  2. Аваев Н.А., Шишкин Г.Г. Электронные приборы. – М.: Издательство МАИ, 1996. – 544 с.
  3. Гуртов В.А. Твердотельная электроника. –  Петрозаводск: ПетрГУ, 2005. – 492 с.

Уважаемый студент.

Данная работа выполнена качественно, с соблюдением всех требований. В свободном доступе в интернете ее нет, можно купить только у нас.

После оплаты к Вам на почту сразу придет ссылка для скачивания и кассовый чек.

Сегодня со скидкой она стоит: 280

Задать вопрос

Задать вопрос