Контрольная работа по электронике. 71235

 

Уважаемый студент! 

Стоимость работы составляет 500 рублей.

Если вас заинтересовала эта работа, то Вы можете заказать её у нас. Для этого Вам нужно отправить нам заявку и оплатить заказ.

Если же Вам потребуется другой вариант работы, то можете с легкостью заказать его на нашем сайте. Мы свяжемся в вами в ближайшее время. Мы гарантируем качественно и в кратчайшие сроки выполнить Ваш заказ.

Всегда рады Вам помочь!


Задача № 1.

Найдите контактную разность потенциалов при Т =310  К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  = 3  Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 2  Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.

Задача № 2.

Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 2 мкА, а кремневый - I0 =10-7 А. Причем через каждый диод протекает ток 200 ма.

Задача № 3.

Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=2 В равна С1=20 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении   U2=10 В.  Собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni=1,5∙1016 м-3 , концентрация акцепторной примеси Nа=1020 м-3, концентрация донорской примеси   Nд=2∙1020 м-3.

Задача № 4.

Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 750С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,5 мА.

Задача № 5.

По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы  0,1 А   и   напряжением коллектора   20 В.

Задача № 6.

Биполярный транзистор КТ803А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ=30 В, ток базы IБ=150 мА, сопротивление  нагрузки RH=10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.

Задача № 7.

Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора α=0,93 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 16 мкА.

Задача № 8.

Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б=5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО=0,99. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  22 МГц.

Задача № 9.

Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 90 кОм; h12 = 0,009; h21 = 90; h22 = 9× 10-4 Ом-1.

Задача № 10.

Привести схематическое обозначение транзистора ГТ309В, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  15 В, эмиттер 8 В, база 3 В. Ответ поясните.

Задача № 11.

По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутреннее сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  0, 10 В.

Задача № 12.

Полевой транзистор КП302В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ=5 В, напряжение затвор-исток UЗИ=-1 В, сопротивление нагрузки RH=200 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.

Задача № 13.

По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: 0, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.

Задача № 14.

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max=1 мА, напряжение отсечки  Uотс=13 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор-исток равном Uзи = 4 В и чему равна крутизна в этом случае.

Задача № 15.

Объясните почему с увеличением абсолютного значения обратного напряжения на электронно-дырочном переходе убывает его барьерная емкость.

Задача № 16.

Объясните почему в области сверх высоких частот используется биполярные транзисторы n-р-типа, а транзисторы p-n-p типа, как правило, не используются.

Задача № 17.

Объясните, почему в режиме насыщения транзистора с p-n-затвором изменения напряжения сток-исток не приводят к изменениям тока стока.

Задача № 18.

Объясните почему с увеличением частоты сигнала крутизна МДП транзистора убывает.

 

18 стр.