Описание

Задача № 1.

Найдите контактную разность потенциалов при Т =310  К. Удельное сопротивление r — области германиевого p—n перехода r_p  = 3  Ом×см, а удельное сопротивление n — области r_n = 2  Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×10¹³ см^-3, 0,12 и 0,05 м²/В×С соответственно.

Задача № 2.

Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p—n переход имеет обратный ток насыщения I₀ = 2 мкА, а кремневый — I₀ =10^-7 А. Причем через каждый диод протекает ток 200 ма.

Задача № 3.

Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 20⁰С и обратном напряжении U1=2 В равна С1=20 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении   U2=10 В.  Собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni=1,5∙10¹⁶ м^-3 , концентрация акцепторной примеси Nа=10²⁰ м^-3, концентрация донорской примеси   Nд=2∙10²⁰ м^-3.

Задача № 4.

Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 75⁰С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,5 мА.

Задача № 5.

По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы  0,1 А   и   напряжением коллектора   20 В.

Задача № 6.

Биполярный транзистор КТ803А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания Е_ПИТ=30 В, ток базы I_Б=150 мА, сопротивление  нагрузки R_H=10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.

Задача № 7.

Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора α=0,93 и обратный ток коллекторного  перехода I_КБО = 16 мкА.

Задача № 8.

Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой f_h21Б=5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h_21БО=0,99. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  22 МГц.

Задача № 9.

Найти систему Y — параметров транзистора, если известна система его  h — параметров: h₁₁ = 90 кОм; h₁₂ = 0,009; h₂₁ = 90; h₂₂ = 9× 10^-4 Ом^-1.

Задача № 10.

Привести схематическое обозначение транзистора ГТ309В, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  15 В, эмиттер 8 В, база 3 В. Ответ поясните.

Задача № 11.

По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутреннее сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  0, 10 В.

Задача № 12.

Полевой транзистор КП302В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания Е_ПИТ=5 В, напряжение затвор-исток U_ЗИ=-1 В, сопротивление нагрузки R_H=200 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.

Задача № 13.

По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y — параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: 0, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.

Задача № 14.

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  I_c max=1 мА, напряжение отсечки  U_отс=13 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор-исток равном U_зи = 4 В и чему равна крутизна в этом случае.

Задача № 15.

Объясните почему с увеличением абсолютного значения обратного напряжения на электронно-дырочном переходе убывает его барьерная емкость.

Задача № 16.

Объясните почему в области сверх высоких частот используется биполярные транзисторы n-р-типа, а транзисторы p—n—p типа, как правило, не используются.

Задача № 17.

Объясните, почему в режиме насыщения транзистора с p—n-затвором изменения напряжения сток-исток не приводят к изменениям тока стока.

Задача № 18.

Объясните почему с увеличением частоты сигнала крутизна МДП транзистора убывает.

18 стр.