Заказать работу


Уважаемый студент!

Из готовых вариантов у нас № 9 (71235)

Если Вам нужен иной вариант, пожалуйста, сообщите нам, сделаем работу на заказ очень быстро! Спасибо.



ВАРИАНТЫ КОНТРОЛЬНЫХ ЗАДАНИЙ
 
Вариант №1
 
1.1. Найдите контактную разность потенциалов при Т = 350 К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  = 2 Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 1 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.1. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 =5  мкА, а кремневый - I0 =  10-9 А. Причем через каждый диод протекает ток 50 ма.
3.1. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=5 в равна С1 = 25 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении U2=10 в. собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni = =1,5×1016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси   Nд = 2×1020 м-3.
4.1. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 300С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,1 мА.
5.1. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы и напряжением коллектора .
6.1. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ =20 В, ток базы IБ =50 мА, сопротивление  нагрузки RH =10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
 
 
 
7.1. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,9 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 6 мкА. 
 
 
8.1. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = - 0,95. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  10 МГц.
9.1. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его h - параметров: h11 = 10 кОм; h12 = 0,001; h21 = 10; h22 = 10-4 Ом-1.
10.1. 1. Привести схематическое обозначение транзистора ГТ108Б, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  8 В, эмиттер 6 В, база 4 В. Ответ поясните.
11.1. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 B для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  -4В, 10 В.
 
 
12.1. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 15 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 300 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.1. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -4В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.
14.1. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 12 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 4 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.1. Объясните почему с увеличением концентрации акцепторной примеси в р-области электронно-дырочного перехода возрастает контактная разность потенциалов.
16.1. Объясните почему с увеличением напряжения коллектор-эмиттер в биполярном транзисторе возрастает коэффициент передачи тока эмиттера.
17.1. Объясните почему с уменьшением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p-n-затвором и каналом n-типа наблюдается увеличение сопротивления канала.
18.1. Объясните почему с увеличением ширины канала в МДП транзисторе возрастает ток стока.
 
 
Вариант №2
 
1.2. Найдите контактную разность потенциалов при Т = 320 К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  = 4 Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 2 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.2. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 =4 мкА, а кремневый - I0 =  10-8 А. Причем через каждый диод протекает ток 30 ма.
3.2. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1= 3 в равна С1 = 30 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении  U2=10 в. собственная  концентрация носителей заряда в кремнии  ni = =1,5×1016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси   Nд  = 2×1020 м-3.
4.2. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 400С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,15 мА.
5.2. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы и напряжением коллектора .
6.2. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ =20 В, ток базы IБ =50 мА, сопротивление  нагрузки RH =5 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.2. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,92 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 7 мкА.
8.2. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = - 0,97. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  15 МГц.
9.2. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 20 кОм; h12 = 0,002; h21 = 20; h22 =2× 10-4Ом-1.
10.2.  Привести схематическое обозначение транзистора КТ315, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор 15 В, эмиттер 1 В, база 10 В. Ответ поясните.
11.2. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  -3В, 10 В.
12.2. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 10 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 200 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.2. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -3В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.
14.2. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 10 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 3 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.2. Объясните почему с увеличением концентрации донорной примеси в n-области электронно-дырочного перехода возрастает контактная разность потенциалов.
16.2. Объясните почему с увеличением напряжения коллектор-эмиттер в биполярном транзисторе возрастает коэффициент передачи тока базы.
17.2. Объясните почему с увеличением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p-n-затвором и каналом р-типа наблюдается увеличение сопротивления канала.
18.2. Объясните почему с увеличением длины канала в МДП транзисторе убывает ток стока.
 
 
Вариант №3
 
1.3. Найдите контактную разность потенциалов при Т =310 К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  = 3 Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 2 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.3. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 3 мкА, а кремневый - I0 =   10-7 А. Причем через каждый диод протекает ток 200 ма.
3.3. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=10 в равна С1 = 10 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении U2=10 в. собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni = =1,5×1016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси   Nд = 2×1020 м-3.
4.3. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 450С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,2 мА.
5.3. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы 0,15А и напряжением коллектора 10В.
6.3. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ =20 В, ток базы IБ =75 ма, сопротивление  нагрузки RH =10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.3. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,94 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 8 мкА.
8.3. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = - 0,98. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  20 МГц.
9.3. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 30 кОм; h12 = 0,003; h21 = 30; h22 =3× 10-4Ом-1.
10.3.  Привести схематическое обозначение транзистора 2Т908Б, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  25 В, эмиттер 30 В, база 2 В. Ответ поясните.
11.3. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  -3В, 5 В.
12.3. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 15 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 600 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.3. По вольт- амперным  характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком определите систему Y- параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток:  Ток затвора считать равным нулю.
14.3. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 8 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 2 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.3. Объясните почему с увеличением температуры электронно-дырочного перехода возрастает контактная разность потенциалов.
16.3. Объясните почему с увеличением температуры биполярного транзистора возрастает коэффициент передачи тока эмиттера.
17.3. Объясните почему с уменьшением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p-n-затвором и каналом n-типа наблюдается уменьшение напряжения насыщения.
18.3. Объясните почему МДП транзисторы с индуцированным каналом р-типа не используются при положительных значениях напряжения затвор-исток.
 
 
 
Вариант №4
 
1.4. Найдите контактную разность потенциалов при Т =330 К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  = 3  Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 2  Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.4. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 4 мкА, а кремневый - I0 =  10-8  А. Причем через каждый диод протекает ток 100 ма.
3.4. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=5 в равна С1 = 50 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении U2=10 в.  собственная  концентрация  носителей заряда в кремнии ni = =1,5×1016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси   Nд = 2×1020 м-3.
4.4. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 500С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,25 мА.
5.4. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы 0,125А и напряжением коллектора 10В.
6.4. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ =20 В, ток базы IБ =75 ма, сопротивление  нагрузки RH =5 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.4. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,96 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 9 мкА.
8.4. Предельная частота тока эмиттора в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = - 0,99. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  25 МГц.
9.4. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 40 кОм; h12 = 0,004; h21 = 40; h22 =4× 10-4Ом-1.
10.4. Привести схематическое обозначение транзистора КТ348Б, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  8 В, эмиттер 5 В, база 3 В. Ответ поясните.
11.4. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в  для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной харак
теристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  -2В, 10 В.
12.4. Полевый транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 10 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 400 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.14. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -2 В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.
14.4. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 6 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 2 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.4. Объясните почему с увеличением концентрации акцепторной примеси в р-области электронно-дырочного перехода уменьшается его толщина.
16.4. Объясните почему с увеличением температуры биполярного транзистора возрастает коэффициент передачи тока базы.
17.4. Объясните почему с увеличением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p-n-затвором и каналом р-типа наблюдается увеличение напряжения насыщения.
18.4. Объясните почему МДП транзисторы с индуцированным каналом n-типа не используются при отрицательных значениях напряжения затвор-исток.
 
 
Вариант №5
 
1.5. Найдите контактную разность потенциалов при Т = 340 К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  = 2 Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 1 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.5. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 =5 мкА, а кремневый - I0 =  10-9 А. Причем через каждый диод протекает ток 50 ма.
3.5. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=1 в равна С1 = 10 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении   U2=10 в. собственная  концентрация носителей заряда в кремнии ni = =1,5×1016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа=1020 м-3, концентрация донорной примеси   Nд= 2×1020 м-3.
4.5. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 550С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,3 мА.
5.5. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы  0,1 А   и   напряжением коллектора    10 В.
6.5. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ = 40 В, ток базы IБ = 150 мА, сопротивление  нагрузки RH = 10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.5. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,98 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 10 мкА.
8.5. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = 0,96. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  30 МГц.
9.5. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 50 кОм; h12 = 0,005; h21 = 50; h22 = 5× 10-4 Ом-1.
10.5. Привести схематическое обозначение транзистора ГТ1405А, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  7 В, эмиттер 10 В, база 1 В. Ответ поясните.
11.5. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  -2В, 5В.
12.5. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 15 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 500 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.5. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -2В, 5 В. Ток затвора считать равным нулю.
14.5. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 14 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 4 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.5. Объясните почему с увеличением концентрации донорной примеси в n-области электронно-дырочного перехода уменьшается его толщина.
16.5. Объясните почему с увеличением частоты сигнала уменьшается коэффициент передачи тока эмиттера в биполярном транзисторе.
17.5. Объясните почему полевые транзисторы с p-n-затвором и каналом n-типа не используется при положительных значениях напряжения затвор-исток.
18.5. Объясните почему с увеличением напряжения затвор-исток возрастает ток стока МДП транзистора с каналом n-типа.
 
 
Вариант №6
 
1.6. Найдите контактную разность потенциалов при Т =350 К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  =4 Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 4 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.6. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 1 мкА, а кремневый - I0 =  10-8  А. Причем через каждый диод протекает ток 100 ма.
3.6. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=2 в равна С1 = 20 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении  U2=10 в. собственная  концентрация  носителей заряда в кремнии ni = =1,5×1016 м-3  концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси   Nд = 2×1020 м-3.
4.6. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 600С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,35 мА.
5.6. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы  0,175 А   и   напряжением коллектора   20В.
6.6. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ = 40 В, ток базы IБ = 125 мА, сопротивление  нагрузки RH = 10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.6. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,99 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 12 мкА.
8.6. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = 0,95. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  14 МГц.
9.6. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 60 кОм; h12 = 0,006; h21 = 60; h22 = 6× 10-4 Ом-1.
10.6. Привести схематическое обозначение транзистора КТ625А, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  3 В, эмиттер 7 В, база 2 В. Ответ поясните.
11.6. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  -1В, 10В.
12.6. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 15 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 750 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.6. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -1В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.
14.6. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 17 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 5 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.6. Объясните почему с увеличением обратного напряжения, приложенного к эктронно-дырочному переходу, увеличивается толщина перехода.
16.6. Объясните почему с увеличением частоты сигнала уменьшается коэффициент передачи тока базы в  биполярном транзисторе.
17.6. Объясните почему транзисторы с p-n-затвором и каналом p-типа не используются при отрицательных значениях напряжения затвор-исток.
18.6. Объясните почему с уменьшением напряжения затвор-исток возрастает ток стока МДП транзистора с каналом р-типа.
 
 
 
Вариант №7
 
1.7. Найдите контактную разность потенциалов при Т = 300 К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  = 5 Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 3 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.7. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 2 мкА, а кремневый - I0 =  10-9 А. Причем через каждый диод протекает ток 50 ма.
3.7. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=5 в равна С1 = 50 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении   U2=10 в. собственная   концентрация носителей заряда в кремнии ni =1,5×1016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа=1020 м-3, концентрация донорной примеси   Nд= 2×1020 м-3.
4.7. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 650С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,4 мА.
5.7. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы  0,15 А   и   напряжением коллектора   20 В.
6.7. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ = 40 В, ток базы IБ = 0,1 А, сопротивление  нагрузки RH = 10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.7. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,97 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 14 мкА.
8.7. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = 0,97. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  16 МГц.
9.7. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 70 кОм; h12 = 0,007; h21 = 70; h22 = 7× 10-4 Ом-1.
10.7. Привести схематическое обозначение транзистора ГТ328А, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  5 В, эмиттер 8 В, база 3 В. Ответ поясните.
11.7. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  -1В, 5В.
12.7. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 10 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 500 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.7. По вольт- амперным  характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком определите систему Y- параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток:  Ток затвора считать равным нулю.
14.7. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 9 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 3 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.7. Объясните, почему с увеличением концентрации донорной примеси в n-области электронно-дырочного перехода возрастает его барьерная емкость.
16.7. Объясните причину существования времени задержки сигнала в биполярном транзисторе, работающем в ключевом режиме.
17.7. Объясните, почему крутизна полевого транзистора с p-n-затвором и каналом n-типа убывает с увеличением частоты сигнала.
18.7. Объясните, почему с увеличением напряжения затвор-исток в МДП транзисторе с каналом n-типа возрастает напряжения насыщения.
 
 
Вариант №8
 
1.8. Найдите контактную разность потенциалов при Т = 320 К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  = 4 Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 2  Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.8. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 3 мкА, а кремневый - I0 = 10-9 А. Причем через каждый диод протекает ток 300 ма.
3.8. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=3 в равна С1 = 30 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении   U2=10 в. собственная  концентрация носителей заряда в кремнии ni = =1,5×1016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси   Nд = 2×1020 м-3.
4.8. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 700С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,45 мА.
5.8. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы  0,125 А   и   напряжением коллектора   20 В.
6.8. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ = 40 В, ток базы IБ = 75 мА, сопротивление  нагрузки RH = 10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.8. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,95 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 15 мкА.
8.8. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = 0,98. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  18 МГц.
9.8. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 80 кОм; h12 = 0,008; h21 = 80; h22 =8× 10-4 Ом-1.
10.8. Привести схематическое обозначение транзистора 2Т603А, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  7 В, эмиттер 10 В, база 4 В. Ответ поясните.
11.8. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  -2В, 5В.
12.8. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 15 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 500 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.8. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -2В, 5 В. Ток затвора считать равным нулю.
14.8. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 11 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 3 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.8. Объясните почему с увеличением концентрации акцепторной примеси в р-области электронно-дырочного перехода возрастает его барьерная емкость.
16.8. Объясните причину существования конечного времени рассасывания заряда базы биполярного транзистора, работающего в ключевом режиме.
17.8. Объясните почему крутизна полевого транзистора с p-n-затвором и каналом р-типа убывает с увеличением частоты сигнала.
18.8. Объясните почему с уменьшением напряжения затвор-исток в МДП транзисторе с каналом р-типа уменьшается напряжение насыщения.
 
 
Вариант №9
 
1.9. Найдите контактную разность потенциалов при Т =310  К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp  = 3  Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn = 2  Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.9. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 2 мкА, а кремневый - I0 =10-7 А. Причем через каждый диод протекает ток 200 ма.
3.9. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=2 в равна С1 = 20 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении   U2=10 в.  собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni = =1,5×1016 м-3 , концентрация акцепторной примеси Nа=1020 м-3, концентрация донорской примеси   Nд  = 2×1020 м-3.
4.9. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 750С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,5 мА.
5.9. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы  0,1 А   и   напряжением коллектора   20 В.
6.9. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ = 30 В, ток базы IБ = 150 мА, сопротивление  нагрузки RH = 10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.9. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,93 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 16 мкА.
8.9. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = 0,99. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  22 МГц.
9.9. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 90 кОм; h12 = 0,009; h21 = 90; h22 = 9× 10-4 Ом-1.
10.9. Привести схематическое обозначение транзистора ГТ309В, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  15 В, эмиттер 8 В, база 3 В. Ответ поясните.
11.9. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  0, 10 В.
12.9. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 5 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 200 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.9. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: 0, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.
14.9. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 13 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 4 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.9. Объясните почему с увеличением абсолютного значения обратного напряжения на электронно-дырочном переходе убывает его барьерная емкость.
16.9. Объясните почему в области сверх высоких частот используется биполярные транзисторы n-типа, а транзисторы p-n-p типа, как правило, не используются. 
17.9. Объясните почему в режиме насыщения транзистора с p-n-затвором изменения напряжения сток-исток не приводят к изменениям тока стока.
18.9. Объясните почему с увеличением частоты сигнала крутизна МДП транзистора убывает.
 
 
Вариант №10
 
1.10. Найдите контактную разность потенциалов при Т = 350  К. Удельное сопротивление r - области германиевого p-n перехода rp = 2  Ом×см, а удельное сопротивление n - области rn =  1 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.10. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 5 мкА, а кремневый - I0 = 10-9 А. Причем через каждый диод протекает ток 50 ма.
3.10. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=5 в равна С1 = 25 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении U2=10 в.  собственная  концентрация  носителей заряда в кремнии ni = =1,5×1016 м-3 , концентрация акцепторной примеси Nа=1020 м-3, концентрация донорской примеси   Nд= 2×1020 м-3.
4.10. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 1000С и токе, протекающем через диод, равном I = 2 мА.
5.10. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы  0,075 А   и   напряжением коллектора   20 В.
6.10. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ = 50 В, ток базы IБ = 100 мА, сопротивление  нагрузки RH = 10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.10. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,91 и обратный ток коллекторного  перехода IКБО = 13 мкА.
8.10. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц,  а  коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h21БО  = = 0,96. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  24 МГц.
9.10. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его  h - параметров: h11 = 100 кОм; h12 = 0,01; h21 = 100; h22 =10× 10-3 Ом-1.
10.10. Привести схематическое обозначение транзистора КТ348Б, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор  10 В, эмиттер 5 В, база 3 В. Ответ поясните.
11.10. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  0, 5 В.
12.10. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 5 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 250 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.10. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: 0, 5 В.. Ток затвора считать равным нулю.
14.10. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока  Ic max =   =1 мА напряжение отсечки  Uотс = 15 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном Uзи = 4 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.10. Объясните почему с увеличением температуры электронно-дырочного перехода возрастает величина обратного тока.
16.10. Объясните почему для увеличения граничной частоты биполярного транзистора уменьшают толщину базы.
17.10. Объясните почему с увеличением напряжения затвор-исток в транзисторе с p-n-затвором и каналом n-типа происходит увеличение тока стока.
18.10. Объясните причину существования конечных времен включения и выключения МДП транзистора, работающего в ключевом режиме.       
 



ИЛИ